製造商產品編號:
TSM052N06PQ56 RLG
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM052N06PQ56 RLG-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
详细描述:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
庫存:
12898700
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TSM052N06PQ56 RLG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3686 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-PDFN (5x6)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
TSM052N06PQ56 RLGCT-DG
TSM052N06PQ56 RLGDKR
TSM052N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM052N06PQ56RLGDKR
TSM052N06PQ56RLGCT
TSM052N06PQ56 RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGTR-DG
TSM052N06PQ56RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSC031N06NS3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
6397
部件號碼
BSC031N06NS3GATMA1-DG
單位價格
0.92
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0
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